Veille NAE : Fiabilité électronique 20191202

Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique.

Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera :

  • Significant improvement of reverse leakage current characteristics of Si-based homoepitaxial InGaN/GaN blue light emitting diodes
    Source : www.scopus.com – 2019-12-01
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  • Neutron detection performance of gallium nitride based semiconductors.
    Source : www.ncbi.nlm.nih.gov – 2019-11-26
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  • 500W DC-DC converter module targets GaN RF power amplifiers designs
    Source : www.eenewspower.com – 2019-11-21
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  • GMM-MUD: An Effective Multiuser Detection Algorithm for DS-UWB-Based Space Formation Flying Systems
    Source : www.hindawi.com – 2019-11-20
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  • Nexperia launches GaN FET for automotive applications
    Source : www.eenewsautomotive.com – 2019-11-20
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