Texas Instruments (TI), étoffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l’alimentation haute tension en y ajoutant des transistors à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 600 V, dédiés aux applications automobiles et industrielles. Grâce à un pilote de grille intégré de 2,2 MHz à commutation rapide, cette nouvelle famille de transistors FET GaN aide les ingénieurs à doubler la densité de puissance de leurs systèmes, à garantir une disponibilité de 99 % et à réduire de 59 % la taille des composants magnétiques de puissance par rapport aux solutions existantes. Développés à partir des matériaux en nitrure de gallium et des capacités de traitement propriétaires de TI, sur un substrat en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), ces nouveaux transistors sont plus avantageux que les solutions sur des substrats comparables (par exemple le carbure de silicium, ou SiC) en termes de coût et d’approvisionnement.
Source : TI lance les tout premiers transistors à effet de champ au nitrure de gallium
