Ces nouveaux dispositifs vont améliorer l’efficacité énergétique et réduire la taille des applications industrielles…

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé cinq nouveaux MOSFET 650 V de 3ème génération en carbure de silicium (SiC), destinés aux équipements industriels.

Ces produits polyvalents et à très haut rendement seront utilisés dans de nombreuses applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données, et les équipements de communication. Ils trouveront également des applications dans le domaine des énergies renouvelables, notamment dans les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels, tels que ceux servant à la recharge de véhicules électriques (EV).

Pour en savoir plus : Toshiba lance des MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de 3ème génération