OTTAWA, le 25 février 2020 (GLOBE NEWSWIRE) – GaN Systems , le leader mondial des semi-conducteurs de puissance GaN, montrera comment ses principaux transistors GaN sont une technologie fondamentale pour les équipements électroniques de puissance. De nouveaux...
Teledyne e2v HiRel lance un nouveau HEMT de puissance 100V / 90A GaN robuste basé sur la technologie de GaN Systems. «En plus du TDG650E60 650V GaN HEMT actuellement publié, le TDG100E90 complète notre portefeuille avec une option de tension et de courant plus faible...
Cette collaboration accélèrera le développement et le lancement sur le marché de solutions de puissance avancées en GaN. Elle s’appuie sur l’expertise de ST sur le marché de l’automobile et le leadership de TSMC en tant que fondeur de semiconducteurs. Elle permettra...
Dans cet article, l’influence de l’oxyde de graphène (GO) sur la microstructure de la zone de transition interfaciale (ITZ) dans le mortier de ciment a été étudiée par analyse d’images (IA) de micrographies d’électrons rétrodiffusés (ESB). Les...
Disclosed herein are aspects of a hybrid unmanned aerial vehicle (UAV). In one embodiment, the hybrid UAV includes a fuselage configured to hold cargo, and at least one wing. The wing has a body that includes upper and lower surfaces and is configured to generate lift...
Current research aims at investigating the fatigue strength of ultrasonically welded composite joints with novel liquid acrylic thermoplastic Elium®. Fatigue response of the welded joints with integrated Energy Director (ED) and flat Elium® film was investigated and...
