Au début des années 1950, les États-Unis lancèrent le projet Nike afin de développer des missiles de défense aérienne censés intercepter les bombardiers stratégiques soviétiques avant qu’ils ne pussent larguer une bombe nucléaire. Puis, le lancement du R7, le premier...
Le 30 avril, l’agence de presse officielle nord-coréenne KCNA a diffusé les images des premiers essais du système d’armes mis en œuvre par le « Choi Huyn », un « destroyer » de 144 mètres de long pour un déplacement estimé à 5 000 tonnes, doté de 74 cellules de...
Vols, écoutes indiscrètes, cyber menaces, débauchages sauvages… Sur fond de fortes tensions géopolitiques, les actes malveillants pourraient se multiplier lors du prochain salon international de l’aéronautique et de l’espace, organisé au Bourget du 16 au 22 juin. Sans...
Infineon Technologies AG is introducing the CoolGaN bidirectional switch (BDS) 650 V G5, a gallium nitride (GaN) switch capable of actively blocking voltage and current in both directions. Featuring a common-drain design and a double-gate structure, it leverages...
STMicroelectronics says its new high-voltage half-bridge gate drivers for GaN applications add extra flexibility and features for greater efficiency and robustness. The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 give designers two options to manage GaN devices in power...
Infineon to use new SiC TSJ technology to expand efficiency and compactness of CoolSiC range Infineon is introducing trench-based SiC superjunction (TSJ) technology, adding to its existing CoolSiC product offering spanning 400 V to 3.3 kV “With the introduction of the...
