De nouvelles puces 3D pourraient rendre l’électronique plus rapide et plus économe en énergie
Cette technologie peu coûteuse et évolutive permet d’intégrer de manière transparente des transistors en nitrure de gallium à grande vitesse sur une puce en silicium standard. Le nitrure de gallium, […]
Power GaN and RF GaN companies strengthened patent portfolios in Q1 2025
SOPHIA ANTIPOLIS, France – June 10, 2025 │ KnowMade today announced the publication of its Q1 2025 IP report on GaN electronics, highlighting robust patenting activity across both power and RF segments. […]
LG Chem and Noritake Co-Develop High-Performance Paste for Automotive Power Semiconductors
LG Chem and Noritake Co-Develop High-Performance Paste for Automotive Power Semiconductors – LG Chem and Noritake form strategic partnership to advance materials for next-generation automotive power semiconductors – Jointly developed silver paste delivers […]
Transistors HEMT GaN Rad-Hard pour conceptions spatiales
Infineon Technologies a lancé une famille de transistors en nitrure de gallium (GaN) résistants aux radiations, fabriqués en interne dans sa propre fonderie. Les transistors GaN à haute mobilité d’électrons […]
Movable Antenna Aided Full-Duplex ISAC System with Self-Interference Mitigation
Movable antenna (MA) has shown significant potential for improving the performance of integrated sensing and communication (ISAC) systems. In this paper, we model an MA-aided ISAC system operating in a […]
GaN switch delivers bidirectional voltage blocking in single device
Infineon Technologies AG is introducing the CoolGaN bidirectional switch (BDS) 650 V G5, a gallium nitride (GaN) switch capable of actively blocking voltage and current in both directions. Featuring a […]
ST launches news GaN half-bridge drivers
STMicroelectronics says its new high-voltage half-bridge gate drivers for GaN applications add extra flexibility and features for greater efficiency and robustness. The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 give designers two options […]
Introducing trench-based superjunction SiC
Infineon to use new SiC TSJ technology to expand efficiency and compactness of CoolSiC range Infineon is introducing trench-based SiC superjunction (TSJ) technology, adding to its existing CoolSiC product offering […]
Toshiba et Global Power Technology accélèrent leurs dépôts de brevets sur les dispositifs d’alimentation SiC
SOPHIA ANTIPOLIS , France – 15 mai 2025 │ Selon les données de notre SiC Patent Monitor , la technologie du carbure de silicium (SiC) de puissance a connu une forte activité de […]
Des pistes pour gérer efficacement l’obsolescence des composants électroniques
En constante évolution et engagé dans une stratégie d’optimisation continue de la conception et de la fabrication, le secteur de l’électronique est confronté en permanence à l’obsolescence des anciens composants […]