STMicroelectronics : ZF signe un accord pluriannuel avec STMicroelectronics pour la fourniture de composants en carbure de silicium
ZF signe un accord pluriannuel avec STMicroelectronics pour la fourniture de composants en carbure de silicium ZF se dote d’un fournisseur pour la technologie en carbure de silicium (SiC) afin de répondre de manière fiable à des […]
Infineon et Schweizer vont intégrer des puces SiC dans les PCB
Infineon Technologies et Schweizer Electronic, une société de PCB, développent une solution pour intégrer les puces CoolSiC 1200 V d’Infineon directement sur les cartes de circuits imprimés (PCB). Ils disent que […]
GaN Power Devices: Stability, Reliability And Robustness Issues
A technical paper titled “Stability, Reliability, and Robustness of GaN Power Devices: A Review” was published by researchers at Virginia Polytechnic Institute and State University, Johns Hopkins University Applied Physics […]
Cambridge GaN Devices présente au PCIM
Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) – qui est issue du groupe de conversion de l’énergie électrique et de l’énergie du département d’ingénierie de l’Université de Cambridge en 2016 et qui […]
Note de veille Technologique NAE #4 – Piézoélectricité et électronique de puissance
En partenariat avec les Techniques de l’ingénieur, NAE vous propose sa sélection de veille mensuelle. Ce mois-ci, nous vous proposons : Applications des éléments piézoélectriques en électronique de puissance Cet […]
Virginia tech prouve la robustesse du CGD GaN
Cambridge GaN Devices (CGD) a annoncé que des recherches tierces indépendantes menées par un établissement de recherche universitaire, Virginia Tech University, démontrent que la technologie ICeGaN GaN du CGD est […]
Navitas célèbre 75 000 000 expéditions d’énergie GaN
Le leader des semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération annonce une étape importante dans l’industrie sur un marché potentiel de 13 milliards de dollars par an couvrant les véhicules électriques, […]
La troisième génération de Mosfet au carbure de silicium de Toshiba est présente chez element14
La troisième génération de Mosfet au carbure de silicium (SiC) 650V et 1200V de Toshiba est désormais présente au catalogue d’element14. Le distributeur assure que ces produits « très polyvalents » peuvent […]
Farnell : Les MOSFET en carbure de silicium de 3ème génération de Toshiba sont disponibles
Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles… Farnell a […]
GaN, SiC or Traditional Silicon? – TimesTech
Visitez n’importe quel salon avec un élément semi-conducteur de puissance et il ne vous faudra pas longtemps pour parler de GaN (nitrure de gallium) ou de SiC (carbure de silicium). Les […]