L’objectif principal de cette recherche était de développer un modèle d’éléments finis spécifiquement conçu pour la fabrication additive par faisceau d’électrons (EBAM) du Ti-6Al-4V, et ce afin de comprendre les aspects métallurgiques et mécaniques du processus. De...
À la suite de dommages causés par des corps étrangers (FOD), la réparation des composants en utilisant de nouvelles technologies de fabrication additive (FA) semble avoir un bon potentiel pour permettre des solutions rentables et efficaces pour la maintenance des...
Marelli Motorsport – the Motorsport business unit of the global automotive supplier Marelli – and the Power Electronics Innovation Center (PEIC) of Politecnico di Torino are announcing a new collaboration on GaN power electronics, aimed at electric...
Innoscience Technology a lancé la série Bi-GaN de dispositifs GaN HEMT bidirectionnels qui économisent de l’espace et permettent une charge rapide sans souffrir de la limitation de la fiabilité et d’éventuelles augmentations dangereuses de la température...
Ces nouveaux dispositifs vont améliorer l’efficacité énergétique et réduire la taille des applications industrielles… Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé cinq nouveaux MOSFET 650 V de 3ème génération en carbure de silicium (SiC), destinés aux...
