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Toshiba a lancé un total de cinq nouveaux dispositifs MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de troisième génération pour les équipements industriels. Ces produits hautement efficaces et polyvalents seront utilisés dans une variété d’applications exigeantes,...
San Diego, CA, July 13, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — Researchers at General Atomics (GA) announced a new concept for advancing fusion energy using advanced Silicon Carbide (SiC)–based materials that can withstand the intense conditions within a high-power fusion...
Third-generation compound semiconductors such as SiC and GaN are very crucial to the future development of electrical vehicles (EV) and green power industries, and heterogeneous integration will play a pivotal role in determining market competitiveness… Pour en...
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