Aller au contenu
  • Accueil
  • NAE
  • Annuaire
  • Recrutement
  • Actualités
Devenir membre
Contact

Étiquette : Electrification et fiabilité des systèmes embarqués

Generating context-specific sports training plans by combining generative adversarial networks

Personalized sports training plans are essential for addressing individual athlete needs, but traditional methods often need to integrate diverse data types, limiting adaptability and effectiveness. Existing machine learning (ML) and […]

Exceptional reliability and stability AuNis–AlGaN/GaN HEMT sensor for pH detection

AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) biosensors have garnered significant attention due to their highly sensitive two-dimensional electron gas (2DEG) channel. Open-gate HEMT structure is commonly employed, utilizing various sensing […]

Assessing the reliability of SiC MOSFET through inverter-like accelerated test vs. power cycling

Silicon carbide (SiC) MOSFETs are known for their superior performance compared to traditional silicon devices, making them well-suited for a wide range of applications in power electronics. However, there is […]

SemiQ launches QSiC 1700V series of high-reliability, low-loss SiC MOSFETs

SemiQ Inc of Lake Forest, CA, USA — which designs, develops and manufactures silicon carbide (SiC) power semiconductors and 150mm SiC epitaxial wafers for high-voltage applications — has announced a […]

XSICM03 : Une avancée technologique pour les MOSFET SiC

La plateforme XSICM03 de nouvelle génération offre une réduction de la taille des cellules de conception tout en maintenant des contrôles de processus robustes, ainsi que des performances de fuite […]

Preconditioning of Ohmic p-GaN power HEMT for reproducible Vth measurements

The fluctuation of the threshold voltage (Vth) presents a challenge while monitoring electrical drift in reliability studies of GaN HEMTs. While technologies, such as ohmic p-GaN, may lessen V th […]

ROHM’s PMICs for SoCs Adopted in Reference Designs for Telechips’ Next-Generation Cockpits

Santa Clara, CA and Kyoto, Japan, Dec. 12, 2024 (GLOBE NEWSWIRE) — ROHM Semiconductor today announced the adoption of its PMICs in power reference designs focused on the next-generation cockpit SoCs Dolphin3 […]

Optimisation des propriétés de conversion électromécanique des polymères et leurs applications

Les matériaux électroactifs organiques, susceptibles de présenter de bonnes propriétés des couplages électromécaniques, ouvrent la voie à de nombreuses applications d’actionneurs et/ou capteurs hautement intégrables aux structures. Cela permettra à […]

Microchip décline ses igbt de nouvelle génération à toutes les sauces

Déclinée dans différentes configurations et topologies, la gamme IGBT 7 de l’Américain voit sa densité de puissance améliorée par rapport à la génération précédente dans les applications nécessitant des tensions […]

Microchip présente une large gamme de dispositifs de puissance IGBT 7

Les composants de puissance évoluent pour répondre aux demandes croissantes d’efficacité, de taille réduite et de performances accrues dans les systèmes électroniques de puissance. Pour offrir aux concepteurs de systèmes […]

← Suivant
Prochain →
NAE

NAE filière d'excellence…

Tous droits réservés