ON Semiconductor profitera de la prochaine manifestation Apec pour dévoiler des modules de puissance 1200 V en technologie carbure de silicium aptes à répondre aux exigences de la recharge rapide des véhicules électriques. A l’heure où les ventes de véhicules...
La nouvelle famille de transistors M6 ™ MRH25N12U3 de Microchip supporte les conditions hostiles de l’espace et améliore la fiabilité des circuits d’alimentation… Les alimentations sur les applications spatiales fonctionnent dans des environnements qui exigent...
Grâce à une structure originale permettant de porter la tension de claquage de grille des transistors HEMT 150V en GaN à 8V contre 6V habituellement, le Japonais Rohm rend ces composants plus fiables et plus simples à contrôler. De quoi favoriser l’adoption du GaN à...
Power SiC MOSFETs are going to substitute Si devices by to their significantly better performances that make them much suitable in power switching applications such as electric/hybrid vehicles. The increasingly use of these devices in critical mission profiles...
JEP184 provides definitions and procedures for characterizing the threshold voltage instability of SiC-based power electronic conversion semiconductor devices having a gate dielectric region biased to turn devices on and off. Bias Temperature Instabilities (BTI)...
