L’événement permet aux entreprises de toutes tailles de rencontrer les acteurs majeurs de la R&D pour accélérer et concrétiser leurs projets d’innovation. Tous les secteurs industriels et technologiques sont représentés : Technologies numériques, micro et...
UN ACCUEIL TRÈS CHALEUREUX À LA 6E CONFÉRENCE CONJOINTE EUROSOI – ULIS 2020, À CAEN. Cette conférence vise à rassembler dans un forum interactif tous les scientifiques et ingénieurs travaillant dans le domaine de la technologie SOI et des dispositifs avancés à...
Empower RF Systems Inc of Inglewood, CA and Holbrook, NY, USA (which produces RF and microwave power amplifiers for defense, commercial and industrial applications) says that its new model 2176 is a compact high-power gallium nitride on silicon carbide (GaN-on-SiC)...
Have you used gallium-nitride (GaN) transistors in your designs yet? If not, now may be the time to give it some consideration. GaN devices have been around for several years now, but improved manufacturing methods now make them less expensive than a year or so ago.In...
Self-heating in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) negatively impacts device performance and reliability. Under nominal operating conditions, a hot-spot in the device channel develops under the drain side corner of the gate due to a concentration of...
