Les mosfet coolsic d’infineon grimpent à 2000 V
Par rapport aux modèles 1700 V, ces Mosfet de la gamme CoolSiC en version 2000 V offrent des densités de puissance accrues sans compromis sur la fiabilité du système. Infineon […]
Grâce à ses brevets, 5N+ se positionne favorablement pour commercialiser les tout premiers interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale
Validation récente d’un portefeuille de brevets de 5N+ essentiels à la mise au point de nouveaux interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale utilisés dans […]
The SiCRET + project : understanding & preventing the ageing of SiC modules
Three years after the launch of the initial SiCRET project, SiCRET+, a project which began in October 2023, is extending the scope of its study to include silicon carbide (SiC) […]
INFINEON ACCUSE INNOSCIENCE DE VIOLATION D’UN BREVET LIÉ AU GAN
Le groupe allemand a déposé plainte ce jour, devant un tribunal californien, contre l’entreprise chinoise pour violation d’un brevet relatif aux composants de puissance en nitrure de gallium. Alors que […]
Transformateurs électroniques pour applications ferroviaires
Actuellement, la majorité des convertisseurs embarqués dans des trains circulant sous une caténaire alternative est composée d’un transformateur basse fréquence, puis de redresseurs,alimentant des moteurs de traction via des onduleurs […]
Innoscience lance la famille de circuits intégrés GaN HEMT intégrés 700 V
IC comprend HEMT, pilote, détection de courant et protection ; Il élimine le LDO dans les conceptions USB-PD… Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des […]
Nitrure de gallium (GaN) et carbure de silicium (SiC) : alimenter la révolution de l’électrification des avions
L’industrie aéronautique connaît une transformation remarquable vers des avions plus durables et technologiquement avancés. Ce changement est particulièrement évident dans le développement des futurs avions à propulsion hybride et des […]
LE CEA LETI PLANCHE SUR LA RÉDUCTION DU COÛT DES TRANSISTORS GAN POUR APPLICATIONS RF
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur […]
Hermetically sealed silicon carbide (SiC) power module for rugged space and avionics introduced by Solitron
WEST PALM BEACH, Fla. – Solitron Devices Inc. in West Palm Beach, Fla., is introducing the SD11487 hermetically sealed silicon carbide (SiC) power module for high-reliability applications in avionics, space, and down-hole exploration. […]
Infineon fournit des dispositifs MOSFET CoolSiC 1 200 V pour les systèmes de stockage d’énergie de Sinexcel
Infineon Technologies AG de Munich, en Allemagne, a annoncé un partenariat dans le cadre duquel elle fournira ses dispositifs à semi-conducteurs de puissance CoolSiC MOSFET 1 200 V — en […]