Les GaN HEMT sur diamant démontrent une dissipation thermique deux fois supérieure à celle du GaN-sur-SiC
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué […]
Les diamants sont-ils les meilleurs amis du GaN ? Révolutionner la technologie des transistors
Des chercheurs de l’Université métropolitaine d’Osaka prouvent que les diamants sont bien plus que les meilleurs amis des filles. Leurs recherches révolutionnaires se concentrent sur les transistors au nitrure de gallium […]
Des chercheurs japonais exploitent le potentiel du diamant pour améliorer les transistors
Une équipe de recherche au Japon a exploré une nouvelle utilisation du diamant, bien au-delà de son attrait esthétique. Leur travail se concentre sur l’amélioration des transistors en nitrure de […]
COSEL lance une nouvelle génération d’alimentations ultra-compactes à haut rendement
Etage de puissance en nitrure de gallium (GaN) et transformateur multicouches planaire à haute fréquence. Haute densité de puissance dans un faible encombrement de 1×2,3 pouce (TEP45F, 65F). Brochage 45W […]
C-Band GaN Pulsed Amplifier : 2240
Empower RF Systems launches their innovative C-Band GaN pulsed amplifier for radar. The model 2240 is a compact, lightweight, and rugged pulsed amplifier that delivers a minimum 800 W peak power […]
Amplificateur pulsé GaN en bande C : 2 240
Empower RF Systems lance son amplificateur pulsé innovant GaN en bande C pour radar. Le modèle 2240 est un amplificateur pulsé compact, léger et robuste qui fournit une puissance de crête minimale […]
National Reliability Technology Workshop – NRTW 2024 – 14/03/24
Le NRTW (Normandy Reliability Technology Workshop) se veut un espace d’échanges et de rencontres des acteurs de la fiabilité. Une occasion unique de renforcer les synergies et le rayonnement européen […]
COSEL lance une nouvelle génération d’alimentations ultra-compactes à haut rendement
Etage de puissance en nitrure de gallium (GaN) et transformateur multicouches planaire à haute fréquence. Haute densité de puissance dans un faible encombrement de 1×2,3 pouce (TEP45F, 65F). Brochage 45W […]
Densité de puissance record pour un convertisseur Gan d’Epc
Capable de délivrer une puissance maximale de 1 kW (85 A sous 12 V) dans un encombrement réduit, le convertisseur LLC 48 V/12 V référencé EPC9159 affiche une densité de […]
Gallium Semiconductor étoffe son portefeuille avec le premier amplificateur ISM CW
BERLIN–(BUSINESS WIRE)–Gallium Semiconductor, célèbre fournisseur de solutions de semi-conducteurs RF GaN, a annoncé aujourd’hui la disponibilité de l’amplificateur ISM CW GTH2e-2425300P, un transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT) discret GaN-sur-SiC […]