Aller au contenu
  • Accueil
  • NAE
  • Annuaire
  • Recrutement
  • Actualités
Devenir membre
Contact

Étiquette : Fiabilité des systèmes et des composants

Demonstrations of high voltage SiC materials, devices and applications in the solid state transformer

High voltage SiC power devices have been proven as the potential candidates in replacing the Si counterparts to improve the overall power converting efficiency of the power grids and power […]

Electrical characterization and temperature reliability of 4H-SiC Schottky barrier diodes after Electron radiation

In this study, the operation of commercial SBD-based on 4H-SiC after radiation was assessed. The devices were subjected to electron radiation with an energy of 1.7 MeV at different fluences. […]

Thermal management and waste heat recovery of electronics enabled by highly thermoconductive aramid composites with bridge-type 1D/2D liquid-crystalline thermal conduction networks

As a vital part of electronics, polymer-based thermal management materials effectively accelerate heat dissipation and improve the reliability, stability, and service life of electronics. Herein, a novel strategy of bridge-type […]

Les solutions EliteSiC au carbure de silicium d’onsemi offrent le meilleur rendement

Onsemi , leader des technologies d’alimentation et de détection intelligentes, a présenté aujourd’hui « EliteSiC », qui est le nom de sa famille de produits au carbure de silicium (SiC). Cette semaine, […]

Thermal management and waste heat recovery of electronics enabled by highly thermoconductive aramid composites with bridge-type 1D/2D liquid-crystalline thermal conduction networks

As a vital part of electronics, polymer-based thermal management materials effectively accelerate heat dissipation and improve the reliability, stability, and service life of electronics. Herein, a novel strategy of bridge-type […]

Les dispositifs SiC offrent un haut rendement pour les infrastructures énergétiques et les applications industrielles

Onsemi a présenté « EliteSiC » comme nom de sa famille de carbure de silicium (SiC). Cette semaine, la société présentera trois nouveaux membres de la famille – le MOSFET […]

ST dévoile sa 3è génération de modules de puissance en SiC

Ces modules de puissance de 750 V et 1200 V ont été optimisés en termes de robustesse, de fiabilité et de performances pour cibler les véhicules électriques. Deux mois après […]

Des Mosfet dissipent la chaleur par le haut pour une meilleure efficacité

Grâce à un dissipateur thermique juché sur le dessus du composant qui favorise l’évacuation de la chaleur, les derniers Mosfet d’onsemi améliorent la densité de puissance et la fiabilité des […]

A novel high-voltage solid-state switch based on the SiC MOSFET series and its overcurrent protection

Pulse power technology has developed rapidly, and its application fields have been continuously expanding and widely applied in biomedicine [1–5], plasma material processing [6–8], high-power power supplies [9], accelerator [10], […]

Résoudre le casse-tête : la plaquette de carbure de silicium cubique présente une conductivité thermique élevée, juste derrière le diamant

Une équipe de chercheurs en science et ingénierie des matériaux de l’Université de l’Illinois à Urbana-Champaign a résolu une énigme de longue date concernant les valeurs de conductivité thermique mesurées […]

← Suivant
Prochain →
NAE

NAE filière d'excellence…

Tous droits réservés