Power electronics thermal limits and how to not exceed them
To someone who isn’t involved in power electronics design, it might seem unreal that the amount of power a component can handle depends more on how effectively waste heat can […]
Evaluation of maraging steel produced using hybrid additive/subtractive manufacturing
La fabrication hybride est souvent utilisée pour décrire une combinaison de procédés additifs et soustractifs dans la même enveloppe de fabrication. Dans cette étude, la fabrication hybride d’acier maraging 18Ni-300 […]
Thermo-mechanical modeling of wire-fed electron beam additive manufacturing
L’objectif principal de cette recherche était de développer un modèle d’éléments finis spécifiquement conçu pour la fabrication additive par faisceau d’électrons (EBAM) du Ti-6Al-4V, et ce afin de comprendre les […]
High frequency vibration fatigue behavior of ti6al4v fabricated by wire-fed electron beam additive manufacturing technology
À la suite de dommages causés par des corps étrangers (FOD), la réparation des composants en utilisant de nouvelles technologies de fabrication additive (FA) semble avoir un bon potentiel pour […]
Marelli Motorsport And Politecnico Di Torino Cooperate On GaN
Marelli Motorsport – the Motorsport business unit of the global automotive supplier Marelli – and the Power Electronics Innovation Center (PEIC) of Politecnico di Torino are announcing a new collaboration […]
Bi-GaN bi-directional GaN HEMTs save space and increase efficiency
Innoscience Technology a lancé la série Bi-GaN de dispositifs GaN HEMT bidirectionnels qui économisent de l’espace et permettent une charge rapide sans souffrir de la limitation de la fiabilité et […]
Toshiba lance des MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de 3ème génération
Ces nouveaux dispositifs vont améliorer l’efficacité énergétique et réduire la taille des applications industrielles… Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé cinq nouveaux MOSFET 650 V de 3ème génération en […]
Les HEMT GaN bidirectionnels Bi-GaN d’Innoscience utilisés à l’intérieur des smartphones permettent d’économiser de l’espace, d’augmenter l’efficacité et de réduire l’élévation de température
OPPO annonce les premiers téléphones portables au monde avec protection de charge GaN intégrée 1 er Septembre 2022 – Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur […]
Toshiba lance des Mosfet en carbure de silicium (SIC) 650 V de troisième génération
Toshiba a lancé un total de cinq nouveaux dispositifs MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V de troisième génération pour les équipements industriels. Ces produits hautement efficaces et polyvalents […]
General Atomics Advances Fusion Technology With Silicon Carbide (Sic)Based Materials
San Diego, CA, July 13, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — Researchers at General Atomics (GA) announced a new concept for advancing fusion energy using advanced Silicon Carbide (SiC)–based materials that can […]