Heterogeneous integration to boost EV-use SiC, GaN performance – DIGITIMES
Third-generation compound semiconductors such as SiC and GaN are very crucial to the future development of electrical vehicles (EV) and green power industries, and heterogeneous integration will play a pivotal […]
Printed Circuit Board Embedded Power Semiconductors: A Technology Review
Highlights • PCB embedding processes presented and technical challenges discussed • Review of requirements for embedding materials • List of 22 embedding demonstrators with key performance numbers • Discussion of […]
Navitas Acquires GeneSiC Semiconductor
Positions Navitas as a pure-play GaN and SiC next-generation power semiconductor company GaN company Navitas Semiconductorhas announced the acquisition of GeneSiC Semiconductor, a SiC pioneer with deep expertise in SiC […]
Veille NAE : Fiabilité électronique 20220704
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Circuits de puissance GaN-on-Si […]
Circuits de puissance GaN-on-Si : Innoscience ouvre un centre européen de R&D à Louvain – VIPress.net
La nouvelle activité de R&D d’Innoscience est située à Louvain, à proximité de l’IMEC – centre d’excellence très réputé en technologie avancée de semi-conducteurs – et de l’Université Catholique de […]
100V GaN transistor meets space power conversion requirements
The EPC7018 joins the company’s EPC7014, EPC7007, EPC7019 in its Rad-Hard family. All are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family. Packaged […]
Technologie additive : Impression de matériaux par jet d’encre pour l’électronique imprimée
Nous présentons un enseignement sous forme de cours, Tps et projets tutorés sur le domaine de l’impression jet d’encre de matériaux pour l’électronique imprimée (réalisation de capteurs et d’OLED (organic […]
Veille NAE : Fiabilité électronique 20220607
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Single event burnout sensitivity […]
GaN Systems makes available GaN transistor ADS models for ISM RF power
GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada (a fabless developer of gallium nitride-based power switching semiconductors for power conversion and control applications) has announced availability of its GaN transistor ADS […]
An effect of source/drain spacing in AlGaN/GaN HEMT on linearity to improve device reliability | IEEE Conference Publication | IEEE Xplore
In this work we analysed the performance of AlGaN/GaN HEMT based on the linearity metrics for variable source/drain spacing with a fixed gate length (1μm) using Sentaurus TCAD device simulator. […]