Veille NAE : Fiabilité électronique 20210607
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Les HEMT GaN de […]
Les HEMT GaN de 150V gagnent en fiabilité et en simplicité de contrôle – VIPress.net
Grâce à une structure originale permettant de porter la tension de claquage de grille des transistors HEMT 150V en GaN à 8V contre 6V habituellement, le Japonais Rohm rend ces […]
Study of the thermomechanical strain induced by current pulses in SiC-based Power MOSFET. | IEEE Journals & Magazine | IEEE Xplore
Power SiC MOSFETs are going to substitute Si devices by to their significantly better performances that make them much suitable in power switching applications such as electric/hybrid vehicles. The increasingly […]
Veille NAE : Fiabilité électronique 20210510
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : STMicroelectronics Introduces High-Performance GaN […]
JEDEC Wide Bandgap Power Semiconductor Committee Publishes a Milestone Document for Bias Temperature Instability of Silicon Carbide (SiC) MOS Devices | Business Wire
JEP184 provides definitions and procedures for characterizing the threshold voltage instability of SiC-based power electronic conversion semiconductor devices having a gate dielectric region biased to turn devices on and off. […]
Power modules combine 600-V GaN switches with gate drivers – Power Electronic Tips
Power switches based on the wide bandgap (WBG) material gallium nitride (GaN) enable excellent efficiency and high switching frequency, starting a new era in power electronics. To support this development, […]
STMicroelectronics Introduces High-Performance GaN Family
Geneva, May 6, 2021 – STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, has announced a new family of ST Intelligent and Integrated […]
Le ministère des Armées veut développer une filière de semi-conducteurs à base de Nitrure de Gallium
Ces dernières années, l’opportunité de recréer ou non une filière de munitions de petit calibre afin de sécuriser l’approvisionnement des forces françaises a régulièrement fait l’objet de débats, notamment au […]
Veille NAE : Fiabilité électronique 20210412
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Solid-state power amplifier for […]
Development of SiC merged reverse conductive devices – Sugawara – – Electrical Engineering in Japan – Wiley Online Library
SiC merged reverse conductive (MRC) power devices composed of both unipolar devices and bipolar devices have been developed to achieve a smaller chip size, a lower power loss, and a […]