Un convertisseur DC-DC atteint une efficacité record de 98,3%
Les chercheurs de l’Université de Kobe et de l’Université nationale Chung Hsing ont développé un nouveau convertisseur de puissance DC-DC qui se distingue par son efficacité, sa fiabilité et sa durabilité. […]
Les mosfet coolsic d’infineon grimpent à 2000 V
Par rapport aux modèles 1700 V, ces Mosfet de la gamme CoolSiC en version 2000 V offrent des densités de puissance accrues sans compromis sur la fiabilité du système. Infineon […]
INFINEON ACCUSE INNOSCIENCE DE VIOLATION D’UN BREVET LIÉ AU GAN
Le groupe allemand a déposé plainte ce jour, devant un tribunal californien, contre l’entreprise chinoise pour violation d’un brevet relatif aux composants de puissance en nitrure de gallium. Alors que […]
Transformateurs électroniques pour applications ferroviaires
Actuellement, la majorité des convertisseurs embarqués dans des trains circulant sous une caténaire alternative est composée d’un transformateur basse fréquence, puis de redresseurs,alimentant des moteurs de traction via des onduleurs […]
Innoscience lance la famille de circuits intégrés GaN HEMT intégrés 700 V
IC comprend HEMT, pilote, détection de courant et protection ; Il élimine le LDO dans les conceptions USB-PD… Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des […]
Nitrure de gallium (GaN) et carbure de silicium (SiC) : alimenter la révolution de l’électrification des avions
L’industrie aéronautique connaît une transformation remarquable vers des avions plus durables et technologiquement avancés. Ce changement est particulièrement évident dans le développement des futurs avions à propulsion hybride et des […]
LE CEA LETI PLANCHE SUR LA RÉDUCTION DU COÛT DES TRANSISTORS GAN POUR APPLICATIONS RF
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur […]
Les GaN HEMT sur diamant démontrent une dissipation thermique deux fois supérieure à celle du GaN-sur-SiC
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué […]
Les diamants sont-ils les meilleurs amis du GaN ? Révolutionner la technologie des transistors
Des chercheurs de l’Université métropolitaine d’Osaka prouvent que les diamants sont bien plus que les meilleurs amis des filles. Leurs recherches révolutionnaires se concentrent sur les transistors au nitrure de gallium […]
Des chercheurs japonais exploitent le potentiel du diamant pour améliorer les transistors
Une équipe de recherche au Japon a exploré une nouvelle utilisation du diamant, bien au-delà de son attrait esthétique. Leur travail se concentre sur l’amélioration des transistors en nitrure de […]